Résumés des mini-colloques > Matériaux grand gaps et applicationsMini-colloque 5 – MC05
Matériaux grands gaps et applications Division de la Matière Condensée Anna Rumyantseva & Mihai Lazar (L2n, UTT/CNRS), Dave Rogers (Nanovation) La physique, la technologie et les applications des matériaux semi-conducteurs de troisième génération. Les semi-conducteurs de troisième génération sont des semi-conducteurs à large bande interdite, avec des propriétés physiques remarquables les rendant très prisés pour des applications sous environnements sévères (fort champ électrique pour l’électronique de puissance, haute température, fortes radiations, milieux corrosifs…). Grâce à des recherches intenses et soutenues depuis plusieurs décennies, des travaux fondamentaux qui ont permis de lever des multiples verrous technologiques, certains d’entre eux, comme le SiC et le GaN sont utilisés aujourd’hui à une échelle industrielle dans des modules d’électronique de puissance, avec une très forte demande pour les véhicules électriques et le transport électrique en général (automobile, ferroviaire, avionique) ainsi que la distribution d’énergie (réseaux supergrid) et même la domotique . La maturité technologique et la qualité des substrats qu’on peut obtenir aujourd’hui font que les niveaux de concentration des défauts résiduels nous permet d’envisager une maîtrise et une ingénierie de ceux-ci pour les utiliser comme sources de photons uniques pour une nanophotonique quantique, dont certains compatibles avec des longueurs d’ondes télécom.
En considérant la famille large de ces semi-conducteurs de troisième génération (Diamant, les oxydes ZnO, Ga2O3… et autres III-N) les applications s’élargissent à des domaines comme le stockage d’énergie (super-condensateurs), les détecteurs de particules et radiations pour le nucléaire et le médical, la dépollution des eaux usés par des méthodes de photocatalyse ainsi d’autres capteurs sous environnements hostiles et corrosifs. |
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