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Mini-colloque 5 – MC05
Matériaux grands gaps et applications
Division de la Matière Condensée
Anna Rumyantseva & Mihai Lazar (L2n, UTT/CNRS), Dave Rogers (Nanovation)
La physique, la technologie et les applications des matériaux semi-conducteurs de troisième génération. Les semi-conducteurs de troisième génération sont des semi-conducteurs à large bande interdite, avec des propriétés physiques remarquables les rendant très prisés pour des applications sous environnements sévères (fort champ électrique pour l’électronique de puissance, haute température, fortes radiations, milieux corrosifs…). Grâce à des recherches intenses et soutenues depuis plusieurs décennies, des travaux fondamentaux qui ont permis de lever des multiples verrous technologiques, certains d’entre eux, comme le SiC et le GaN sont utilisés aujourd’hui à une échelle industrielle dans des modules d’électronique de puissance, avec une très forte demande pour les véhicules électriques et le transport électrique en général (automobile, ferroviaire, avionique) ainsi que la distribution d’énergie (réseaux supergrid) et même la domotique . La maturité technologique et la qualité des substrats qu’on peut obtenir aujourd’hui font que les niveaux de concentration des défauts résiduels nous permet d’envisager une maîtrise et une ingénierie de ceux-ci pour les utiliser comme sources de photons uniques pour une nanophotonique quantique, dont certains compatibles avec des longueurs d’ondes télécom.
En considérant la famille large de ces semi-conducteurs de troisième génération (Diamant, les oxydes ZnO, Ga2O3… et autres III-N) les applications s’élargissent à des domaines comme le stockage d’énergie (super-condensateurs), les détecteurs de particules et radiations pour le nucléaire et le médical, la dépollution des eaux usés par des méthodes de photocatalyse ainsi d’autres capteurs sous environnements hostiles et corrosifs.
| MC05 : Matériaux grand gaps et applications |
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| Monday 30th June - C001 room |
| 16:00 - 17:00 |
Marie-Amandine Pinault-Thaury |
CEMHTI, CNRS UPR 3079, Université d'Orléans |
Diamant semiconducteur : le défi du dopage de type n |
| 17:00 - 17:30 |
Nicolas Grandjean |
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) |
La physique des diodes électroluminescentes à base de GaN : quand est-il aujourd'hui ? |
| 17:30 - 17:50 |
Nathalie Lidgi-Guigui |
Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux, CNRS, Université Sorbonne Paris nord |
TiO2 décoré avec des nanoparticules d'Au pour la diffusion Raman exaltée de surface photo-induite (PIERS) |
| 17:50 - 18:10 |
Yamina Bennour |
CEMHTI, CNRS UPR 3079, Université d'Orléans |
Etude du SiC, GaN et Diamant comme potentiel radiateur pour un détecteur Čerenkov |
| 18:10 - 18:30 |
Gaël Heysen |
Matériaux et Ingénierie Mécanique
Université de Reims Champagne-Ardenne |
Films minces de ZnO par méthode Pechini : caractérisation et application en photocatalyse |
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| Wednesday 2nd July - C001 room |
| 8:00 - 9:00 |
Camille Sonneville |
Laboratoire Ampère
- CNRS, INSA - Lyon, Université Claude Bernard-Lyon I - UCBL (FRANCE), Ecole Centrale de Lyon |
Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic application |
| 9:00 - 9:30 |
Giovanni FANCHINI |
University of Western Ontario |
Scratching the surface and beyond: scanning probe microscopy and nano-optics in thin films of wide bandgap materials |
| 9:30 - 9:50 |
Razvan Pascu (invited) |
National Institute for Research and Development in Microtechnologies – IMT Bucharest, Romania |
Alternative MOS oxides for SiC technology |
| 9:50 - 10:10 |
Ilhem ELGARGOURI |
L2n, UTT |
Wide Bandgap Perovskites : Sustainable Transparent Conductors for Next-Generation Optoelectronics |
| 10:10 - 10:30 |
Elena Cannuccia |
Physique des interactions ioniques et moléculaires
Aix Marseille Université, CNRS |
Thermodynamic and optical properties of point defects in wurtzite boron nitride |
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| Wednesday 2nd July - C001 room |
| 13:30 - 14:00 |
Laurent OTTAVIANI |
Aix-Marseille Université- Faculté des Sciences, IM2NP |
Neutron Radiation Effects on SiC-Based P+N Junction Diodes |
| 14:00 - 14:30 |
Jean-Marie Bluet |
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures
Institut des Nanotechnologies de Lyon |
Technology Optimization for a Ga2O3 power Schottky diode fabrication |
| 14:30 - 15:00 |
Rogers David |
Nanovation SARL |
Self-powered Oxide Heterojunctions for Remote Optical Fire Sensing |
| 15:00 - 15:30 |
François Treussart |
Laboratoire Lumière, Matière et Interfaces
Université Paris-Saclay, ENS Paris-Saclay, CNRS, CentraleSupélec |
Polarization texture and sensing application of ferroelectric nanocrystals |
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